삼성전자가 더 높은 HBM 개발 소식을 알리며 경쟁력 우려를 불식했다.

삼성전자는 36GB HBM3E D램을 개발했다고 27일 밝혔다. 샘플을 공급하기 시작, 상반기 양산할 예정이다.

이번 5세대 HBM은 D램 칩을 TSV로 가장 높은 12단까지 적층하는데 성공했다. 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선했다.

삼성전자는 이번에도 적층에 필름 방식인 '어드밴스드 TC NCF' 기술을 사용했다. SK하이닉스가 MR-Muf로 발열 등 문제를 해결하면서 삼성전자가 차세대 기술 개발에 실패했다는 우려가 있었지만, 삼성전자는 필름 방식을 고도화해 12단이면서도 8단과 동일한 높이로 구현해냈다. '휘어짐 현상'도 최소화할 수 있다.

NCF 소재 두께도 줄였다. 업계 최소인 7마이크로미터를 구현, HBM3 8단 제품보다 20% 이상 수직 집적도를 높였다. 칩을 접합하는 공정에서 가장 핵심이 범프, 삼성전자는 필요에 따라 크기를 차별화해 열 특성을 강화하고 수율까지 높였다.

또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈 다변화는 물론 공극 없이 적층하는 기술을 성공하며 '초격차'를 증명했다.

삼성전자는 HBM3E 12H로 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 최고의 솔루션이 될 것으로 기대했다. 성능과 용량이 증가하면서 총 소유 비용(TCO, Total Cost of Ownership)을 절감할 수 있는 것도 장점으로 꼽았다. 서버를 기준으로 AI 학습 훈련 속도를 34%, 추론은 11.5배 많은 서비스를 제공할 것으로 예상된다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.